意法微歐功率MOSFET提高并聯(lián)服務器電源能效

    意法半導體(ST)推出一款型號為STV300NH02L的新的功率MOSFET，這款新產(chǎn)品的特性是導通電阻極低，達到微歐的水平，在要求嚴格的電源系統(tǒng)中，新產(chǎn)品有助于降低損耗，提高能效。這個高電流的N溝道MOSFET器件是為并聯(lián)電源專門設計的，為了提高系統(tǒng)的可靠性，服務器廣泛使用并聯(lián)電源冗余結(jié)構。

    ST開發(fā)出一項引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術，典型導通電阻Rds(on)極低，只有800微歐(0.8毫歐)，為高電流的MOSFET器件創(chuàng)造了一個新的工業(yè)基準。這款20V的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護功能十分優(yōu)越，關斷時間極短。

    關鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實現(xiàn)更高的性能，MOSFET取代了二極管�，F(xiàn)在功耗低的STV300NH02L在電源效率上又向前邁出了一大步。

    STV300NH02L采用PowerSO-10封裝，訂貨1,000件，單價4.50美元。