飛兆推出熱阻抗提高10倍互補型40V MOSFET

    飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)近日推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業界領先的散熱能力，有助于提高系統可靠性、減小線路板空間及降低系統總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設計而優化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元(BLU)以及電機驅動和電燈驅動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8)封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在單一封裝中集成了一個P溝道高端MOSFET和一個N溝道低端MOSFET，因而容許器件內共漏連接，從而簡化電路板布局并縮短設計時間。

    飛兆半導體通信和消費產品市務經理Mike Speed表示：“飛兆半導體的FDD8424H使到顯示器設計人員能夠對逆變器設計的占位面積和熱性能進行優化。相比傳統的SO8封裝解決方案，雙DPAK封裝中優化的導通阻抗RDS(ON)和柵極電荷(Qg)增強了開關性能，因此能降低熱耗及提高效率。而且，在驅動8個CCFL燈的背光逆變器中，FDD8424H可使外殼溫度降低12%。”

FDD8424H的主要特性包括：

* 優化RDS(ON)和柵極電荷(Qg)的組合，提供出色的開關性能

* N溝道提供4.1C/W的同類最小熱阻抗(θJC)，P溝道則為3.5 C/W

* 單一封裝中集成半橋解決方案，能減小器件占位面積及降低系統總體成本

* P溝道和N溝道MOSFET的共漏連接集成，能簡化線路板布局

這種無鉛產品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。