威世推出在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值MOSFET

    Vishay(威世)日前宣布推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET，這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路，同時延長便攜式電子系統中的電池運行時間。

    額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET導通電壓與移動電子設備中使用的數字IC的1.2V～1.3V工作電壓保持一致，從而可實現更安全、更可靠的設計。作為首批可直接從1.2V總線驅動的功率MOSFET，這些新型TrenchFET還提供了額外潛在優勢，通過它們，在內核電壓低于1.8V的電池供電系統中無需額外的轉換。

    在額定電壓最低為1.5V的MOSFET中，在更低的未指定柵源電壓(例如1.2V)時導通電阻一般會按指數級增加。通過比較，這些新型1.2V TrenchFET在1.2V柵極驅動時提供了確保的低至0.041Ω的n通道導通電阻以及低至0.095Ω的p通道導通電阻。1.5V柵極驅動的導通電阻性能高于最低柵源電壓規格為1.5V的器件中的導通電阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。

    日前推出的這些器件(以及它們的封裝類型)為n通道SiA414DJ(PowerPAK SC-70)、Si8424DB(MICRO FOOT)及SiB414DK(PowerPAK SC75)，以及p通道SiA417DJ(PowerPAK SC-70)、Si8429DB(MICRO FOOT)及SiB417DK(PowerPAK SC-75)。先前推出的采用SC-70封裝的p通道Si1499DH完善了Vishay的1.2V功率MOSFET產品系列。

    這些新型器件的一般應用包括手機、PDA、MP3播放器、數碼相機及其他便攜式系統中的負載、功率放大器及電池充電器開關。除憑借低導通電阻節省電池電量外，這些新型器件還可憑借1.5mm×1.5mm的小型封裝尺寸節省空間。

    目前，所有七款1.2V器件的樣品及量產批量均可提供，大宗訂單的供貨周期為8～10周。