羅姆試制出使用GaN底板的常閉型縱向結構GaN類MOSFET，并進行了動作演示。其特點是“閾值電壓為+2.8V，正合適”。
閾值電壓越低，就越容易在低電壓下導通。不過，如果閾值太低，有時就會在噪聲影響下無意識地導通。“HEMT結構的常閉型GaN類晶體管，其閾值電壓只有+1V左右”。因此，此次將閾值電壓提高到+2.8V，與現有的Si材料功率MOSFET相同。這一數值是通過改進外延生長法和柵極氧化膜制作法實現的。
柵極電壓為10V時，試制品的導通電阻為20mΩcm2。今后計劃進一步降低導通電阻。解說員自信地說“有望降至1mΩcm2”。還將提高耐壓，“將依次提高600V、900V”
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編輯：ronvy
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本文鏈接：羅姆展出閾值電壓+2.8V的縱向GaN
http:m.mangadaku.com/news/2008-10/200810883355.html
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文章標簽： 羅姆/GaN器件/MOSFET
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