英飛凌全新MOSFET系列為工業、消費和電信應用降低30%功耗

    英飛凌科技股份公司近日宣布推出三個全新的功率半導體系列，進一步豐富廣博的OptiMOSTM 3 N溝道MOSFET產品組合。OptiMOS3 40V、60V 和 80V系列可在導通電阻等重要功率轉換指標方面提供業內領先的性能， 使其能夠在采用標準TO（晶體管外形）封裝的條件下，降低30%的功耗。OptiMOS3 40V、60V 和80V系列具備較低的開關損耗和導通電阻，與其他競爭性解決方案相比，可增加高達30%的功率密度，使相關應用的組件數降低25%以上。

    這些全新的MOSFET適用于多種功率轉換和管理應用，包括計算機、家用電器、小型電動車、工業自動化系統、電信設備以及電動工具、電動剪草機和風扇等消費類設備采用的SMPS（開關模式電源）、DC/DC轉換器和直流電機驅動器。

    全新OptiMOS 3系列可提供出類拔萃的RDS（on）（導通電阻），OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8TM 封裝具備最低1.6 mΩ的導通電阻，OptiMOS 3 60V采用D-PAK封裝具備最低3.5 mΩ的導通電阻，OptiMOS 3 80V采用D2 –PAK封裝具備最低2.5 mΩ的導通電阻。這些器件的FOM（優值，通過導通電阻乘以柵極電荷得出） 與同類競爭產品相比高出25%，能夠快速實現開關，同時最大程度降低傳導損耗和導通功耗，提高功率密度。此外，它還能降低驅動器產生的熱量，因此可提高系統的可靠性。另外，較低的導通電阻允許采用3 mm x 3 mm S3O8（Shrink SuperSO8）等小型封裝，因此在設計產品時只需較小的空間，提高了功率密度。

    英飛凌電源管理與驅動產品業務部負責人Gerhard Wolf表示：“作為全球功率半導體市場領袖，英飛凌憑借豐富的OptiMOS MOSFET系列產品，使低壓功率轉換與管理應用實現了最佳的性能和效率。我們利用在功率半導體制造和封裝方面的領先技術，不斷改進器件性能，同時逐步降低外形尺寸，增大功率密度，提供出色的性價比。全新的OptiMOS3系列具有一流的效率和開關特性，有助于電源和電機設計者滿足日益嚴格的節能要求，同時保證提供用戶所需的卓越性能。”

    OptiMOS3 40V、60V 和 80V產品詳情

    OptiMOS 3 40V系列可滿足多種應用中的快速開關SMPS和DC/DC轉換器的需求，比如打印機、非絕緣工業轉換器和絕緣DC/DC轉換器，在這些應用中30V MOSFET不能提供足夠的擊穿電壓。在SuperSO8封裝下，OptiMOS 3 40V系列的導通電阻低至1.6mΩ，比最接近的競爭對手要低50%以上。該特性以及1°K/W的熱阻和100A的持續電流額定值為40V系列的低阻抗MOSFET設立了新基準。該系列還包括業界首款采用S3O8封裝的40V擊穿電壓MOSFET，其占位空間與標準SO8或SuperSO8器件相比減少了60%。

    OptiMOS3 60V 和 80V系列主要用于SMPS和電機控制裝置及直流/直流無刷電機和有刷電機驅動器的二次側整流。OptiMOS3 80V系列也是適用于電信應用產品的理想器件。這種全新的MOSFET可提供一流的導通電阻；例如OptiMOS3 80V采用TO-220封裝可提供2.8 mΩ導通電阻，而其他同類競爭產品提供的導通電阻不低于3.3 mΩ。較低的導通電阻結合0.5° K/W的熱阻和100A的持續電流額定值，使英飛凌全新MOSFET成為60V與80 V系列功率半導體中首屈一指的產品。它們還采用了D-PAK封裝，與傳統的D2-PAK封裝相比，可使所需的板卡空間降低50%以上，同時使SMPS產品設計的封裝高度降低40%。

    供貨與定價

    全新OptiMOS 3 40V、60V與80V功率MOSFET系列采用標準TO封裝以及SuperSO8和S3O8封裝，具有不同的導通電阻額定值。OptiMOS 3 60V系列現已開始批量生產，40V 和 80V器件目前只提供樣品。采用SSO8封裝且導通電阻為1.6 mΩ的OptiMOS 3 40V，在訂購量達到萬件時其單價不超過0.99美元（0.68歐元）。在同樣訂購量下，采用D-PAK封裝的3.5 mΩ OptiMOS 3 60V的單價為0.99美元（0.68歐元），而采用TO-220封裝的2.8 mΩ OptiMOS 3 80V的單價為1.99美元（1.37歐元）。