Vishay 推出業界最小占位面積20V P通道TrenchFET® 功率 MOSFET

Vishay 的 Si8445DB 再次將器件最小的占位空間和最佳的性能進行了的完美結合

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業界最小占位面積以及 1.2 V 時業界最低的導通電阻。

    隨著便攜式電子設備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現消費者對用電池做電源的電子設備的更長運行時間的期望，設計人員需要具有低功耗的更小 MOSFET 封裝---這恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB 所具有的特點。

    憑借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面積，Si8445DB 比業界大小僅次于它的器件小20%，同時具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB 具有 1.2V VGS 時 0.495Ω～4.5V VGS 時 0.084 Ω的低導通電阻范圍。1.2 V 時的低導通電阻額定值降低了對電平位移電路的需求，從而節約了便攜式電子設計中的空間及功率。

    該新器件的典型應用將包括手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備中的低閾值負載開關、充電器開關及電池管理。

    目前，該新型 MICRO FOOT 芯片級功率 MOSFET 的樣品與量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。