羅姆與日產汽車共同開發(fā)出可靠性高SiC二極管

　　今年五月，羅姆與日產汽車共同開發(fā)出了可靠性高的SiC二極管。采用了日產開發(fā)的異質結二極管（Heterojunction Diode，HJD)結構，與以往使用肖特基二極管（Schottky Diode，SBD）的SiC二極管相比，雪崩耐量(Avalanche Capability）提高到了原來的10倍左右，抗擊穿性大幅提高，達到了原來的10倍左右。異質結為聚硅與SiC的組合體。

　　向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減。此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。

　　為了用于混合動力車、燃料電池車、電動汽車車等的逆變器上，要求使用高耐壓、大電流容量的二極管。而目前主流的硅二極管，其導通電阻高達5mΩcm2～10mΩcm2，除了會發(fā)生功率損耗外，還需要對功率損耗引起的發(fā)熱采取措施。使用SiC時，不僅可以提高耐壓性，而且還能夠將導通電阻降至1mΩcm2以下，從而降低功耗。不過，由于雪崩耐量比硅低，因此在用于低溫環(huán)境或啟動時容易產生電壓噪音的車用逆變器時，還存在問題。

　　此次開發(fā)的二極管的芯片特性為5mm見方、耐壓900V、導通電阻0.85mΩcm2。可在車用逆變器電路中采用可靠性高的SiC二極管，將逆變器電路的能量效率提高約20％，并簡化散熱板等冷卻裝置，從而使包括周邊裝置的整個逆變器實現(xiàn)大幅小型輕量化。