作為電力電子行業(yè)在中國(guó)的一大盛會(huì)，PCIM 2010中國(guó)上海展將為業(yè)界及學(xué)術(shù)專家奉上行業(yè)大餐，新產(chǎn)品也將在展會(huì)期間相繼亮相，那就讓我們先一堵為快吧。
作為新起之秀，西安明科微電子材料有限公司與西北工業(yè)大學(xué)合作開(kāi)發(fā)了鋁瓷（AlSiC – 鋁基碳化硅顆粒復(fù)合材料）而西安明科公司（Xi’an Miqam Microelectronics Materials Co., Ltd）是目前中國(guó)區(qū)唯一具備獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)并可產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)這種封裝材料的廠家。
鋁碳化硅（AlSiC）金屬基熱管理復(fù)合材料，俗稱鋁瓷，是功率電子器件專用封裝材料，通過(guò)將鋁合金滲入高體積分?jǐn)?shù)的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制型，復(fù)合成為低密度、高導(dǎo)熱率和低膨脹系數(shù)的封裝材料，以解決電子電路的熱失效問(wèn)題。
現(xiàn)階段鋁碳化硅（AlSiC）廣泛應(yīng)用于高功率大電流IGBT基板、散熱板（可水冷）、微波電路基座（軍用、航空、航天、民用通信基站）、電力電子熱沉、基板、倒裝芯片蓋板、光電轉(zhuǎn)換器外殼、LED導(dǎo)熱柱等方面。
2010年P(guān)CIM展會(huì)期間將亮相的該鋁瓷材料產(chǎn)品，具有其以下幾個(gè)特點(diǎn)：
→ 高導(dǎo)熱率（180-200W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5-9.5X10-6/K），從而使電子器件的可靠性和穩(wěn)定性得到大幅提升。
→ 因其是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過(guò)改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計(jì)，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無(wú)法作到的。
→ AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對(duì)重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。
→ AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，而且AlSiC的抗震性遠(yuǎn)比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動(dòng)較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）工作環(huán)境下的首選材料。目前高電流IGBT基板的首選材料就是鋁瓷。
→ AlSiC可采用凈成形手段鑄造成形，適合大批量加工的工業(yè)化方式生產(chǎn)，成本低于鎢銅、鉬銅的同時(shí)，在大尺寸件與形狀件的生產(chǎn)方面，也遠(yuǎn)優(yōu)于鎢銅、鉬銅。
→ AlSiC可以鍍鎳、鎳磷、鎳硼、金等，表面也可以進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理。
→ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。
→ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。
→ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。■
作為新起之秀，西安明科微電子材料有限公司與西北工業(yè)大學(xué)合作開(kāi)發(fā)了鋁瓷（AlSiC – 鋁基碳化硅顆粒復(fù)合材料）而西安明科公司（Xi’an Miqam Microelectronics Materials Co., Ltd）是目前中國(guó)區(qū)唯一具備獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)并可產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)這種封裝材料的廠家。
鋁碳化硅（AlSiC）金屬基熱管理復(fù)合材料，俗稱鋁瓷，是功率電子器件專用封裝材料，通過(guò)將鋁合金滲入高體積分?jǐn)?shù)的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制型，復(fù)合成為低密度、高導(dǎo)熱率和低膨脹系數(shù)的封裝材料，以解決電子電路的熱失效問(wèn)題。
現(xiàn)階段鋁碳化硅（AlSiC）廣泛應(yīng)用于高功率大電流IGBT基板、散熱板（可水冷）、微波電路基座（軍用、航空、航天、民用通信基站）、電力電子熱沉、基板、倒裝芯片蓋板、光電轉(zhuǎn)換器外殼、LED導(dǎo)熱柱等方面。
2010年P(guān)CIM展會(huì)期間將亮相的該鋁瓷材料產(chǎn)品，具有其以下幾個(gè)特點(diǎn)：
→ 高導(dǎo)熱率（180-200W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5-9.5X10-6/K），從而使電子器件的可靠性和穩(wěn)定性得到大幅提升。
→ 因其是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過(guò)改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計(jì)，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無(wú)法作到的。
→ AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對(duì)重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。
→ AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，而且AlSiC的抗震性遠(yuǎn)比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動(dòng)較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）工作環(huán)境下的首選材料。目前高電流IGBT基板的首選材料就是鋁瓷。
→ AlSiC可采用凈成形手段鑄造成形，適合大批量加工的工業(yè)化方式生產(chǎn)，成本低于鎢銅、鉬銅的同時(shí)，在大尺寸件與形狀件的生產(chǎn)方面，也遠(yuǎn)優(yōu)于鎢銅、鉬銅。
→ AlSiC可以鍍鎳、鎳磷、鎳硼、金等，表面也可以進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理。
→ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。
→ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。
→ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。■
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http:m.mangadaku.com/news/2009-12/2009123112052.html
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文章標(biāo)簽： 電力電子行業(yè)/鋁碳化硅/電流IGBT基
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