據韓聯社報道，三星電子日前發表告示稱，與日本東芝就共享兩家半導體部門的專利達成了協議。
在NAND型閃存領域位居前二的三星電子和東芝，從2002年9月至今年3月，一直共享半導體領域專利技術。
此次達成的協議延長了專利共享時間，但根據協議并未公開具體共享期限和條款。
三星電子相關人士表示：“為了避免不必要的專利競爭，并加強領頭企業間的合作，以及占領市場主導權，決定共享專利技術。”去年，三星電子和東芝在NAND型閃存市場的占有率分別為42．1％和29．3％，分別位居第1和第2，海力士則以12．3％位居第3。■
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來源：網易
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http:m.mangadaku.com/news/2009-6/2009625144124.html
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