Vishay新款導通電阻Si4628DY 創業界最低紀錄

器件采用第三代TrenchFET®技術和SO-8封裝，導通電阻低至3mΩ

 
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產品中前所未有的最低導通電阻，在10V和4.5V柵極驅動電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
 
    新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降壓轉換器中的低壓側功率MOSFET，降壓轉換器可用于筆記本電腦的內核電壓和VRM應用、圖形卡、負載點功率轉換，以及計算機和服務器當中的同步整流。品質因數(FOM)是導通電阻與柵電荷的乘積，是這些應用的關鍵性能指標，與采用SO-8封裝的最接近器件相比，該器件在10V和4.5V柵極驅動下的FOM分別小26%和34%。
 
    Si4628DY可改善用主電網供電的服務器或電池供電的筆記本電腦在輕負載條件下的功率轉換效率。在輕負載條件下，功率轉換器中的MOSFET是關閉的，電流通過肖特基二極管進行傳輸。由于肖特基二極管與MOSFET集成在一起，其前向電壓降要遠低于MOSFET內部體二極管上的電壓降。因此，當降壓轉換器中的MOSFET在死區時間內被關斷時，該特性能夠大大減少功率損耗。
 
    肖特基二極管的反向恢復電荷(QRP)比MOSFET體二極管的QRP要低，因此能夠進一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技術使器件的QRP比標準MOSFET體二極管減少了幾乎75%，可以提高輕負載條件下的轉換效率。
 
    最后，將肖特基二極管集成進MOSFET硅片可消除寄生電感。如果是以分立器件的形式將肖特基二極管和MOSFET安裝到PCB板上，或是把分立的MOSFET和肖特基二極管封裝在一起，均會引入寄生電感。
 
    這些特性所帶來的效率改善，能夠直接降低能量消耗，降低服務器集群等設施的電費開支，延長膝上計算機在兩次充電之間的電池壽命。
 
    Si4628DY現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。

VISHAY簡介
      Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。■