新產品的站位面積為1.6mm x 1.6mm，包括業界首款30V器件和業界導通電阻最低的器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用熱增強PowerPAK® SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET®家族的陣容。今天發布的器件包括業界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業內最低導通電阻的20V MOSFET。
已經發布的Siliconix SiB414DK是首款8V單N溝道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封裝，30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入進一步壯大了該產品系列。SiB408DK在10V時的導通電阻只有40mΩ，SiB412DK在4.5V時的導通電阻低至34mΩ，比最接近的競爭器件低21%。
PowerPAK SC-75封裝的尺寸為1.6mmx16.mmx0.8mm，比2mmx2mm的器件小72％，比廣泛使用的TSOP-6器件小72%，同時具有近似的導通電阻。而對設計者來說，更小尺寸的PowerPAK SC-75能夠在便攜式電子產品中節省空間、降低功耗，從而在滿足消費者對電池運行時間要求的前提下，提供更多的功能。
N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型應用包括負載、功放和便攜式電子產品中的電池開關。與常用的3mm x 3mm封裝相比，該器件可節約在1/8磚或1/16磚電源模塊中的所占空間。SiB408DK還可用做筆記本電腦和上網本中的負載開關。
這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通過了Rg和UIS測試。
器件規格表
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型號 |
SiB414DK |
SiB412DK |
SiB408DK |
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VDS |
8 V |
20 V |
30 V |
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VGS |
± 5 V |
± 8 V |
± 20 V |
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RDS(ON) @ 10 V |
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40 mΩ |
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RDS(ON) @ 4.5 V |
26 mΩ |
34 mΩ |
50 mΩ |
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RDS(ON) @ 2.5 V |
30 mΩ |
40 mΩ |
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RDS(ON) @ 1.8 V |
37 mΩ |
54 mΩ |
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RDS(ON) @ 1.5 V |
52 mΩ |
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RDS(ON) @ 1.2 V |
89 mΩ |
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新款N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
VISHAY SILICONIX簡介
Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。
Siliconix創建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。■
來源：Vishay
http:m.mangadaku.com/news/2009-8/200981794823.html
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