飛兆推出低于1 mOhm的30V MOSFET器件

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1 mOhm 障礙的MOSFET器件，最大RDS(ON) 僅為0.99 mOhm，能夠減少傳導損耗，提高應用的總體效率。例如，與一個使用2.0 mOhm MOSFET的典型應用相比，這款30V MOSFET便能夠以一半的FET數目，提供相同的總體RDS(ON)。

　　FDMS7650 采用飛兆半導體性能先進的 PowerTrench® MOSFET 技術，提供具突破性的RDS(ON) 。這項技術擁有出色的低 RDS(ON)、總體柵極電荷(QG) 和米勒電荷 (QGD) ，能最大限度地減少傳導和開關損耗，從而帶來更高的效率。

　　這款功率MOSFET器件是飛兆半導體眾多 MOSFET 器件之一，為功率設計提供了卓越的優勢。這個系列的其它出色產品還有飛兆半導體的30V雙N溝道MOSFET器件 FDMC8200和FDMS9600，FDMC8200通常具有24 mOhm 的高側RDS(ON) ，以及9.5 mOhm的低側RDS(ON) ，有效提高了 DC-DC 應用的效率。FDMS9600 則通過降低高側 MOSFET 的開關損耗，以及低側 MOSFET的傳導損耗，為同步降壓應用提供最佳的功率級。■