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新型MOSFET在升壓變換器中減少開關損耗的解決方案

2011/10/11 15:37:47   電源在線網(wǎng)
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    摘要:升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關電源的效率,設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中,利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。

    1 引言

    在開關電源設計中,效率是一個關鍵性的參數(shù)。輸入和輸出濾波電容器、變壓器磁芯的幾何圖形與特性及開關器件等,都會影響系統(tǒng)的效率。為減小濾波電容和磁性元件的尺寸,開關電源的頻率在不斷提高。因此,功率器件的開關損耗在整個系統(tǒng)損耗中占有更大的比重。選用低開關損耗的MOSFET,是提高SMPS效率的重要環(huán)節(jié)。快捷(又名仙童)半導體新發(fā)明的QFET系列,是新一代功率MOSFET,用其可以獲得低開關損耗。本文回顧了升壓型變換器的基本工作原理,作為QFET的一個應用實例,介紹了FQP10N20型QFET在70W彩色監(jiān)視器升壓變換器電源中作為開關使用的優(yōu)點。

    2 升壓變換器工作原理

    升壓變換器是將一個DC輸入電壓變換成比輸入電壓高的并經(jīng)過調(diào)整的DC輸出電壓的電源變換器,其基本電路如圖1所示。當開關Q1導通時,輸入DC電壓Vi施加到電感器L的兩端,二極管D因反偏而截止,L儲存來自輸入電源的能量。當開關Q1關斷時,L中的儲能使D正偏而導通,并將能量傳輸?shù)捷敵鲭娙軨和負載R中。

圖1升壓變換器基本電路

    圖2為圖1電路的相關波形。穩(wěn)態(tài)時在一個開關周期內(nèi),電感器L儲存的能量與釋放的能量保持平衡,用伏秒積表示如下:

    ViDTs=(VO-Vi)(1-D)Ts(1)

    式中Ts為開關周期,D為開關占空比。從式(1)可得:

   

    由于D<1, 故 VO>Vi。L兩端的電壓為:

    當開關Q1開通時,根據(jù)公式(3),電感電流的變化可用式(4)計算:

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本文鏈接:新型MOSFET在升壓變換器中減少開關
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