安森美半導體進一步擴展IGBT系列，推出基于第三代超場截止技術的1200 V器件

    推動高能效創新的安森美半導體，推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用公司專有的超場截止溝槽技術。NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG的設計旨在提升工作性能水平，以符合現代開關應用的嚴格要求。這些1200伏特(V)器件能實現領先行業的總開關損耗(Ets)特點；顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發的場截止層及優化的共同封裝二極管。

    NGTB40N120FL3WG的Ets為2.7毫焦耳(mJ)，而NGTB25N120FL3WG的Ets為1.7 mJ。兩款器件在各自額定電流下的VCEsat均為1.7 V。NGTB40N120L3WG經優化提供低導通損耗，額定電流下的VCEsat為1.55 V，Ets為3 mJ。新的超場截止產品與一個具有軟關斷特性的快速恢復二極管共同封裝在一起，仍提供最小的反向恢復損耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常適用于不間斷電源(UPS)和太陽能逆變器，而NGTB40N120L3WG主要針對電機驅動應用。

    安森美半導體功率分立器件分部高級總監兼總經理Asif Jakwani說：“我們把新的超場截止IGBT配以優化的快速恢復二極管達到最佳狀態，完美地平衡了VCEsat和Ets，從而降低開關損耗，并增強硬開關應用在寬范圍開關頻率的電源能效。同時它還提供工程師期望從IGBT獲得的強固工作和高性價比。”

    封裝和定價

    NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG都采用符合RoHS的TO-247封裝，每10,000片批量的單價分別為2.02美元、1.76美元和2.12美元。<