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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

2011/9/14 16:00:24   電源在線網(wǎng)
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    日前,全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司推出車用 MOSFET 系列,可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制,以及內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

    全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝,電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅(qū)動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐,60V 下最大為2.1 毫歐,75V 下為 2.6 毫歐,100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。

    IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR 全新車用溝道 MOSFET 系列可在下一代汽車應用,包括集成式起動發(fā)電機和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)應用中實現(xiàn)基準性能!

    所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念,并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標準要求器件在經(jīng)過1, 000 次溫度循環(huán)測試后,導通電阻變化幅度不能超過 20%。然而,經(jīng)過延長測試后,IR 的新款 AU 物料單在 5,000 次溫度循環(huán)時的最大導通電阻變化不到 10%,體現(xiàn)了該物料單的高強度和耐用性。

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