Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點至環(huán)境熱阻（Rthj-a）為130ºC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運行。
這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板（PCB）面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET可簡易替換高可靠性的信號以及負載開關(guān)應(yīng)用，用于包括數(shù)碼相機、平板電腦和智能手機在內(nèi)的高便攜式消費電子產(chǎn)品。
Diodes公司首次推出的這對MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道以及DMP21D0UFD P通道組件。在VGS為1.8V的情況下，該N通道MOSFET的典型導(dǎo)通電阻為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，有助于大幅減少傳導(dǎo)損耗和功率耗散。Diodes之后還會推出采用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的組件和一系列雙極型器件。<
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。
本文鏈接：Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)
http:m.mangadaku.com/news/26445.htm
http:m.mangadaku.com/news/26445.htm
文章標簽： MOSFET/導(dǎo)通電阻/雙極型器件
0755-82905460
郵箱 
：
