IGBT廠商開拓新市場 低電壓應用成為目標

    IGBT業者正積極搶進600伏特以下的低電壓應用。全球經濟不穩定，加上主要應用市場競爭日益激烈，使得IGBT產業近來成長趨緩。為開創成長新契機，IGBT業者遂致力研發適合低電壓應用領域的新技術與產品方案，甚至朝向12寸晶圓制造發展。

    受到全球政府降低再生能源及運輸支出的影響，絕緣閘雙極電晶體（IGBT）元件及模組制造商紛紛陷入艱困處境。據Yole Developpement統計，大多IGBT制造商、封裝公司和相關的被動元件制造廠在2012年出現衰退（圖1），因而促使相關業者改變IGBT晶圓、封裝等生產策略，期將產業帶回先前快速的成長軌道上。

    拓展低電壓市場　IGBT廠生產策略轉變

    現階段，幾乎所有 IGBT制造商都在600伏特（V）以上相關電力電子應用市場競爭，范圍由太陽能逆變器（Inverter）到馬達驅動器。現有主要業者如位于德國的英飛凌（Infineon）、日本東京的三菱電機（Mitsubishi Electric），以及具備可提供阻擋高達3，300伏特電壓元件優勢的富士電機（Fuji Electric）。這些業者同時也跨足1，700伏特以下中電壓應用領域；此一市場，可謂業界競爭最激烈的應用領域，因為幾乎所有電力電子元件造商，皆可提供1，700伏特以下應用的IGBT元件。不過，若以營收計算，600～900伏特的產品才是市場產值最大的貢獻來源。

    隨著主流市場競爭日益嚴峻，有些公司開始想進入超越傳統范圍下緣的新領域，積極往200～600伏特低電壓區間移轉，以達到更大量的應用，如白色家電產品和相機閃光燈。然而，超級接面高效能金屬氧化物半導體場效電晶體（Super Junction MOSFET）已應用于此電壓區間，意味著IGBT產品要進入市場將有一些挑戰，且制造商也將面臨極大的價格競爭壓力。<