功率器件供應趨緊 廠商全速擴充產線產能

    自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對新結構、新技術的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關態擊穿與開態導通之間的矛盾，使得這類產品能夠有效地滿足實際工程對高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨著制造技術進入到深亞微米時代，以SiC、GaN為代表的第三代功率器件正走向成熟，包含功率器件、功率集成電路、BCD工藝在內的功率半導體技術正朝著高溫、高頻、低功耗、高功率容量，以及智能化、系統化、高度集成方向發展。

    根據IC Insights最新的調查報告，全球分立式功率晶體管市場在2012年受到整體經濟形勢的影響出現大幅下滑之后，2013年正在此基礎上強勢反彈，預計今年全球功率晶體管市場的銷售額將增加7%，達到132億美元的規模，至2017年，全球分立式功率晶體管市場的營收將每年以8.5%左右的速度成長。功率器件市場之所以能夠重新步入高速發展的軌道，主要是由于在節能減排、綠色環保的新產業政策下，迫切要求對能源的利用率實現進一步的提升，功率器件作為提高能源轉換效率的關鍵部件，將在當中發揮重要的作用。

    記者從廠商中了解到，2013年大部分功率器件廠商的出貨量均比去年同期出現了大幅的增長，這一勢頭有望持續到今年的第四季度，并且在市場持續放量以及某些外部因素的影響下，功率器件市場出現了暫時性供貨緊張的狀況。<