性能優(yōu)勢(shì)決定SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)

　 日本矢野經(jīng)濟(jì)研究所公布了電子部件等使用的SiC及GaN等單晶的市場(chǎng)調(diào)查結(jié)果。被該研究所稱(chēng)為功能性單晶的寬禁帶(wide gap )半導(dǎo)體用單晶以及非線形光學(xué)晶體等，大多尚未達(dá)到實(shí)用和量產(chǎn)水平。不過(guò)，預(yù)計(jì)今后市場(chǎng)有望擴(kuò)大的是SiC以及GaN等。

　　2006年SiC單晶的市場(chǎng)規(guī)模為40億日元。SiC目前已投產(chǎn)的元件很少，主要用于研究開(kāi)發(fā)。但是，隨著元件實(shí)用化的研發(fā)，需求有不斷擴(kuò)大的傾向。現(xiàn)在，主要供應(yīng)SiC單晶的廠商是美國(guó)Cree。關(guān)于今后的市場(chǎng)動(dòng)向，矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)計(jì)使用硅的高耐壓離散部件將被SiC取代。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)計(jì)，在2～3年內(nèi)除了已投產(chǎn)的SiC二極管、MOSFET等的開(kāi)關(guān)部件將量產(chǎn)外，5年后的2013年將形成一定的市場(chǎng)。SiC底板方面，除了采用在SiC上形成有外延SiC薄膜的電子部件外，使用GaN的HEMT元件以及發(fā)光元件的底板存在需求。尤其HEMT元件，面向高速通信及手機(jī)基站的需求有望增加。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)SiC單晶的市場(chǎng)規(guī)模到2010年將達(dá)到105億日元，2015年將達(dá)到300億日元。