Vishay Siliconix 推出業界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的 190V N 通道功率 MOSFET

SiA850DJ是在1.8VVGS時具有面向高壓應用的導通電阻額定值
的業界首款器件，其封裝厚度僅為0.75mm，占位面積為2mm×2mm

    2009年1月8日，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布推出業界首款帶有同體封裝的190V功率二極管的190Vn通道功率MOSFET---SiA850DJ，該器件具有2mm×2mm的較小占位面積以及0.75mm的超薄厚度。采用PowerPAK®SC-70封裝的SiA850DJ還是在1.8VVGS時具有導通電阻額定值的業界首款此類器件。

    SiA850DJ的典型應用將包括面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉化器以及手機、PDA、MP3播放器及智能電話等便攜式設備中的有機LED（OLED）背光。

    將MOSFET及功率二極管整合到同一封裝可幫助設計人員節約至少三分之一的PCB面積，同時由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在2.5V時達到導通電阻額定值，而SiA850DJ在1.8V時便可達到導通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進一步節約了板面空間。該器件的導通電阻值范圍介于1.8VVGS時17Ω～4.5VVGS時3.8Ω，0.5A時二極管正向電壓為1.2V。

    SiA850DJ100%無鉛（Pb），無鹵素，并且符合RoHS規范，因此符合有關消除有害物質的國際法規要求。

    目前，新型SiA850DJ的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。
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VISHAY SILICONIX簡介
Vishay Siliconix是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLEFOOT®)。
創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®)和更小空間(ChipFET®，MICROFOOT®)新的封裝選擇。除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。
Siliconix創建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介
VishayIntertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及提供“一站式”服務的能力使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。
PowerPAK®是SiliconixIncorporated的注冊商標。